Processadors: El salt als 2 nanòmetres ja és aquí
La nova generació de xips promet una eficiència energètica sense precedents, reduint el consum de bateria a la meitat.
La cursa per la miniaturització ha arribat a una fita històrica. Els principals fabricants de semiconductors han anunciat la producció en massa dels primers processadors amb litografia de 2 nm, una tecnologia que permet encabir milers de milions de transistors més en el mateix espai que un xip actual.
Característiques tècniques
Aquests processadors utilitzen una arquitectura de transistors de tipus GAA (Gate-All-Around), que substitueix els antics FinFET. Això es tradueix en un increment del rendiment del 15% respecte als xips de 3 nm, però amb una reducció del consum elèctric del 30%. A més, integren unitats de processament de dades massives optimitzades per a xifratge quàntic.
Avantatges i inconvenients
- Avantatges: Els portàtils seran més fins i silenciosos, ja que generaran molt menys escalfament. L’autonomia dels equips podria arribar a superar els dos dies d’ús lleuger.
- Inconvenients: El cost inicial de producció és elevadíssim, cosa que encarirà els portàtils de gamma alta durant el primer any de llançament.
Conclusió: Aquesta innovació marca el final de l’era dels ventiladors sorollosos en la gamma mitjana, apropant la potència de sobretaula a dispositius extremadament prims.
